Is Dark Silicon Useful
暗硅（Dark Silicon）
暗硅的意思就是一个处理器，比如多核处理器，由于功耗的限制，其实同一时刻只有很少的一部分门电路能够工作，其余的大部分处于不工作的状态，这部分不工作的门电路就叫做”暗硅“。
如下图所示，可以很好地解释暗硅是怎么产生的。
对于一个65nm的4核处理器，假定在额定功率允许的情况下其四个核心能够同时全速工作。当工艺尺寸缩小到32nm的时候，之前4核处理器的面积就可以容纳16个核心。但现实是，这16个核心并不会都工作。能够同时工作的仍然只有四个核心。为什么？假设两代工艺之间缩放因子是S，那么S=65nm/32nm=2，芯片的晶体管数量将乘以$S^2$，即4倍；晶体管的切换频率可以乘以$S$，即2倍，因此总的计算能力将乘以$S^3$，即8倍。由于特征尺寸减小了一半，故晶体管的电容将减小S倍。由于总功耗与晶体管数量和切换频率成正比，和电容成反比，总功耗将变成之前的$S^2$倍，即4倍。为了保持总功耗不变，芯片的利用率只能变为原来的$\frac{1}{S^2}$，即原来的1/4。所以即使有16个核，仍然只有4个核可以工作。
其中，工艺尺寸缩小分为两种，一种是Dennardian缩小，一种是PostDennardian缩小。两者的区别是Dennardian缩小随着工艺尺寸的缩小，芯片的供电电压等比例缩小。而PostDennardian缩小随着工艺尺寸的缩小，芯片的供电电压保持不变。对于Dennardian缩小，同样的面积能够容纳的晶体管数量增大了$S^2$倍，系统频率也增加$S$倍，而供电电压降低了$S^2$倍，电容也减少了$S$倍，总功耗保持不变。由此摩尔定律可以有$S^3$倍计算能力的提高，而PostDennardian缩小由于其供电电压不变，所以总功耗增大了$S^2$倍，为了保持总功耗不变，芯片利用率只能变为原来的$\frac{1}{S^2}$，即原来的1/4，所以摩尔定律只能有$S$倍计算能力的提高。总结上述的情况，暗硅产生的原因就是随着现在芯片尺寸的不断减小，芯片的供电电压不能随着一起降低，为了保持总功耗不变，现在工业界常采用面积来换取能量效率，出现了多核芯片，但芯片中能同时满频率工作的面积依然越来越小，由此产生的暗硅。
文中指出了暗硅四骑手：
（1）THE SHRINKING HORSEMAN
主要思想就是因为面积昂贵，所以希望制造更小的芯片而移除掉暗硅的部分。这是一个很乐观的结果，但前景并不被人看好。原因有：暗硅并不表示它没有用或者不会被用到，它只是不会在任何时候都工作，比如如x86处理器中的SIMD SSE单元；从经济学上考虑，硅片成本其实只占芯片成本很小的一部分，封装测试，营销销售，支持维护等其他费用才是大头；商家并不愿意为了减少芯片面积而去牺牲性能；功率密度提高带来的芯片散热问题。
（2）THE DIM HORSEMAN
主要思想是用”弱硅“来替代”暗硅“，就是使用仅在一部分时间内使用的逻辑来填充暗硅区域。其中的技术有：
近阈值电压（NTV）处理器：单个处理器性能下降比节省的能耗更多，但多个处理器并行可以弥补性能损失。任务并行量越大，收益越高。问题在于NTV技术下随机掺杂波动（RDF）导致晶体管阈值电压变化、工作频率变化，鲁棒性下降（如SIMD），以及大量低速处理器和SRAM间互连会增大功耗。
更大的Cache（缓存）：即将暗硅区域用于高速缓存即可以提升性能有节省能耗。但随着低功耗片外接口和3D集成存储器的出现，片上高速缓存的优势在下降。
粗粒度可重配置阵列（CGRA）：拥有针对字级操作的优化路径，比FPGA的长线路能耗更低。
计算冲刺和自动超频：临时升温但保持在温度极限以此提高性能；使用相变材料使得芯片在亚秒级的时间内可以超过温度限制。
（3）THE SPECIALIZED HORSEMAN
相对于功耗和能耗，硅面积已经成为更廉价的资源，用面积来购买能源效率，在暗硅上实现一系列的专用协处理器，这些专业协处理器/加速器可以提高能源效率和性能的数量级，尤其对于高并行计算。但是软硬件之间协调、兼容困难，且因标准更改而被淘汰。由此需要指定可扩展的硬件标准，满足低功耗高性能的要求，同时降低软硬件设计的复杂度；克服Amdahl定律的限制：对规则并行代码和非规则代码都进行专用化方法。
（4）THE DEUS EX MACHINA HORSEMAN
使用新的半导体器件：基于隧道效应的隧道场效应晶体管（TFETS），以及基于纳米机电开关（（Nano-Electro-Mechanical switch）），它们基于物理交换机。